ダマシンプロセス有機RDL
TOPPANは、FC-BGA事業で培った微細加工技術に加え、半導体前工程に由来するダマシンプロセスによる配線形成技術を新たに活用した、チップラスト型の有機RDLを開発しています。
概要
構造
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断面SEM画像
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ターゲット仕様
搭載プロセス
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RDL配線層
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キャリア付きRDLをFC-BGAに搭載
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RDL搭載後
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ガラスキャリア除去
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チップ搭載
ガラスパネル基板
TOPPANは、半導体用フォトマスクやディスプレイ用カラーフィルタ等で培ってきたガラス加工技術をベースに、TGV（Through Glass Via：ガラス貫通電極）とは異なる深さのCavityを混在させたガラス基板の開発に成功しました。FC-BGAサブストレートとの組み合わせによる次世代半導体パッケージの実現を目指します。
概要
構造
加工例
用途例
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ガラスコアFC-BGA基板
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ガラスインターポーザー
コアレス有機インターポーザー
TOPPAN RDL Embedded Coreless Substrate / T-RECS（仮称）は、次世代半導体の高機能化に寄与する異種複数チップの実装（Heterogeneous Integration）を可能とするコアレス構造の有機インターポーザーです。
概要
構造
特長
- 製造工程の途中で支持体から自立するため、RDL単体での電気検査保証が可能。
- 従来パッケージ基板よりも約45%の低熱膨張を実現。
FC-BGA基板とRDLの熱膨張係数の差に起因するクラック（割れ）を抑止。
→ Known-good substrate（あらかじめ信頼性が確認できている基板）としての供給が可能。 - 狭ピッチモールド樹脂貫通電極（TMV）構造により、最小接続端子ピッチはチップ側で40μm（従来130μm）、基板側で130μm（従来300μm）のファインルーティング/ファインインターコネクトを実現。
- パネルレベル製造のスケーラビリティにより、100mm超の大型インターサイズにも対応可能。
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断面SEM画像
L/S=2/2μmのRDLを低CTE・高弾性有機絶縁樹脂（EMC、Laminates）で補強
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ターゲット仕様
© TOPPAN Inc.