FC-BGAサブストレートとは
FC-BGA（FCBGA : Flip Chip-Ball Grid Array）サブストレートは、LSIチップの高速化、多機能化を可能にする高密度半導体パッケージ基板です。
TOPPANは、微細加工技術とビルドアップ配線板技術を独自に発展させた超高密度配線構造のサブストレートを開発、半導体プロセスの微細化に対応した製品を提供しています。
PCやゲーム機向けのマイクロプロセッサやグラフィックプロセッサをはじめ、サーバー、AI、ネットワーク機器向けのハイエンドプロセッサ、高品質の車載用SoCなど、幅広い用途向けLSIの多彩な要求に対し、サブストレートの設計から製造までお客様のニーズをトータルにサポートします。
鉛フリー対応、ハロゲンフリー対応も可能です。
構造と製造工程
FC-BGAの構造
製造工程
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コア工程
コア基材に穴を空け、銅めっきを施し、回路となる部分以外の銅をエッチングで除去します。
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ビルドアップ工程
回路パターンを露光し、銅めっきにより直接回路を形成していきます。この工程を何度も繰り返し、積層（ビルドアップ）します。
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外層工程
ソルダーレジストを形成後、LSIチップ（ダイ）が載る部分にはんだバンプを形成します。
個片に断裁後、外観や電気特性を検査します。
用途
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ネットワーク機器
（ASIC） -
サーバー / PC
（CPU）
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AIプロセッサー -
車載機器
(インフォテイメント / ADAS)
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家庭用ゲーム機
（SoC） -
グラフィックプロセッサ
(GPU)
製品ラインアップ
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FC-BGA -
FC-LGA
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マルチチップFC-BGA -
高多層FC-BGA
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コアレスFC-BGA -
2.3/2.5D向けFC-BGA
ロードマップ
Buildup - Outer
Core
( * ) Plating thickness of core PTH
※ 試作／評価用の材料マテリアルについては、個別にお問い合わせください。
特徴
高密度対応
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高密度ビルドアップ5段スタック
Land / Via = 85 / 60μm -
ビア構造10段スタックビア
Land / Via = 100 / 60μmm
狭ピッチFCバンプ
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FCバンプPitch = 130μm -
FCバンプPitch = 110μm -
SRダム
低銅粗化処理
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Ra:400-250nm -
Ra:200-100nm
多ピン化対応 ／ 微細配線加工
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ファインピッチパターニング(セミアド)Line / Space = 10 / 10μm -
ファインピッチパターニング(サブトラ)Line / Space = 30 / 30μm
高解像度レジストパターン（開発中）
Line / Space = 7 / 7um
高速伝送対応材料
高速伝送対応ビルドアップ樹脂メーカー
設計・シミュレーション対応
設計フロー
シミュレーションサービス
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伝熱解析事例
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電磁解析事例
反り解析事例
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