パワー半導体受託製造ハンドリングサービス
ウェハ製造キャパシティの確保が困難な車載・産業機器・ファクトリーオートメーション向けをはじめとするパワー半導体を対象として、パワー半導体のターンキーサービスを提供しています。
設計からパッケージング・量産までのトータルソリューションサービスだけではなく、ウェハ製造の受託も可能です。
また、デバイスメーカーが保有するウェハ製造プロセスのポーティングや、部分加工の受託サービスも展開しています。
本サービスを利用することで、多品種小ロット品の安定供給が可能となります。
特長
ターンキーサービスのスキーム
- 仕様設計:お客さま/トッパン・テクニカル・デザインセンター
- レイアウト設計:トッパン・テクニカル・デザインセンター
- ウェハ製造:国内ファンダリ(JSファンダリ等)
- パッケージ、テスト:OSAT
TOPPANの強み
- 少量多品種、EOL対応等、お客さまのニーズに沿った製品開発
- 設計、製造、パッケージ、テストまでトータルソリューションの提供
- 安定的な生産キャパシティ
- 国内ファウンドリ、国内OSATを主体とした生産体制
受託製造対応品種ラインアップ
対応可能製品:第5世代IGBT、RC-IGBT、パワーMOSFET等
MOSFETは1700Vまで適応 (プレーナ・トレンチの両タイプ有)
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Si パワーデバイス
- FS-IGBT(第5世代) 1200V/600V
- RC-IGBT(上記派生品) 600V
- FRD 1200V/600V
- 高耐圧MOSFET~1700V
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SiC パワーデバイス
- SBD 1200V/600V
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パッケージ
- 量産:TO-220、TO-247
- 試作:TO-264
パワー半導体ポーティングサービス
パワー半導体のプロセス移植および部分加工を受託するサービスです。
お客さまや半導体メーカーが保有するプロセスのポーティング(移植)や、エピタキシャル工程や裏面工程など、ウェハ製造に関わる部分的な加工のみにも対応、お客さまのニーズに幅広くお応えします。
ポーティング対応可能プロセス
- IGBT, RC-IGBT, FRD, パワーMOSFET等
受託可能部分加工工程
- 6インチ
Epi, 酸化, 拡散, CVD, CMP, リソグラフィー, エッチングなどの前工程処理 - 6/8インチ
シリコン研削(BG, TAIKO), 裏面メタル, メッキ, テスト, 裏面処理用エッチング,
銅イオン注入, 同スパッタ, レーザーアニール - 8インチ
バンプ, WL-CSP