パワー半導体受託製造ハンドリングサービス

ウェハ製造キャパシティの確保が困難な車載・産業機器・ファクトリーオートメーション向けをはじめとするパワー半導体を対象として、パワー半導体のターンキーサービスを提供しています。
設計からパッケージング・量産までのトータルソリューションサービスだけではなく、ウェハ製造の受託も可能です。
また、デバイスメーカーが保有するウェハ製造プロセスのポーティングや、部分加工の受託サービスも展開しています。
本サービスを利用することで、多品種小ロット品の安定供給が可能となります。

特長

ターンキーサービスのスキーム

  • 仕様設計:お客さま/トッパン・テクニカル・デザインセンター
  • レイアウト設計:トッパン・テクニカル・デザインセンター
  • ウェハ製造:国内ファンダリ(JSファンダリ等)
  • パッケージ、テスト:OSAT

TOPPANの強み

  • 少量多品種、EOL対応等、お客さまのニーズに沿った製品開発
  • 設計、製造、パッケージ、テストまでトータルソリューションの提供
  • 安定的な生産キャパシティ
  • 国内ファウンドリ、国内OSATを主体とした生産体制

受託製造対応品種ラインアップ

対応可能製品:第5世代IGBT、RC-IGBT、パワーMOSFET等
MOSFETは1700Vまで適応 (プレーナ・トレンチの両タイプ有)

  • Si パワーデバイス

    • FS-IGBT(第5世代) 1200V/600V
    • RC-IGBT(上記派生品) 600V
    • FRD 1200V/600V
    • 高耐圧MOSFET~1700V
  • SiC パワーデバイス

    • SBD 1200V/600V
  • パッケージ

    • 量産:TO-220、TO-247
    • 試作:TO-264

パワー半導体ポーティングサービス

パワー半導体のプロセス移植および部分加工を受託するサービスです。
お客さまや半導体メーカーが保有するプロセスのポーティング(移植)や、エピタキシャル工程や裏面工程など、ウェハ製造に関わる部分的な加工のみにも対応、お客さまのニーズに幅広くお応えします。

ポーティング対応可能プロセス

  • IGBT, RC-IGBT, FRD, パワーMOSFET等

受託可能部分加工工程

  • 6インチ
    Epi, 酸化, 拡散, CVD, CMP, リソグラフィー, エッチングなどの前工程処理
  • 6/8インチ
    シリコン研削(BG, TAIKO), 裏面メタル, メッキ, テスト, 裏面処理用エッチング,
    銅イオン注入, 同スパッタ, レーザーアニール
  • 8インチ
    バンプ, WL-CSP